[发明专利]一种超级电容器隔膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210122263.0 申请日: 2012-04-25
公开(公告)号: CN102629519A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 王丽华;刘帅;刘艳花;吴杰;刘必前 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: H01G9/02 分类号: H01G9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种超级电容器隔膜的制备方法属于离子通道膜技术领域,其特征在于,使用二甲基乙酰胺将可溶性聚酰亚胺和具有离子通道的杂化材料溶解;使用流延法在平滑的固体表面流延成薄膜;然后加热使杂化材料发生溶胶-凝胶反应形成离子传输通道,所述杂化材料和聚酰亚胺形成超级电容器隔膜。本制膜方法能够得到离子传输性良好且电阻较小的新型超级电容器隔膜,克服现有隔膜有较高孔隙率的缺点,具有制备过程简单,易于放大等优点。
搜索关键词: 一种 超级 电容器 隔膜 制备 方法
【主权项】:
一种超级电容器隔膜的制备方法,其特征在于,依次含有以下步骤:步骤(1),使用二甲基乙酰胺作为溶剂,把可溶性聚酰亚胺和含有离子通道的杂化材料溶解,加入少量催化剂,所述聚酰亚胺在溶液中的浓度用重量百分数表示为10%~25%,所述含有离子通道的杂化材料是指含有脲基的一类含硅化合物,其在溶液中的浓度用重量百分数表示为5%~20%;步骤(2),使用流延法把步骤(1)得到的溶液在平滑的玻璃表面流延成薄膜,膜厚在10~200微米之间,在所述溶剂挥发后形成薄膜,并可从玻璃表面剥离;步骤(3),把步骤(2)得到的薄膜加热到60℃~200℃范围,使杂化材料中的含硅化合物形成硅氧硅网络形成所述的离子通道,薄膜厚度在5~150微米之间。
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