[发明专利]碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法及立式镀膜装置有效
| 申请号： | 201210117624.2 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102628163A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 潘锦功;谢义成;刘映天;傅干华 | 申请（专利权）人： | 成都中光电阿波罗太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 泰和泰律师事务所 51219 | 代理人： | 魏常巍;伍姝茜 |
| 地址： | 610200 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，其制作过程均在真空环境中进行，步骤为：对衬底进行预加热至160～220℃；将衬底加热至230～320℃后进行碲化锑磁控溅射；将衬底冷却至80～120℃后进行镍钒合金溅射；将上述衬底降温到70℃以下后出料，采用这种方法制得的碲化镉薄膜太阳能电池背接触层镀膜均匀，针孔数量少。本发明还公开了采用上述方法制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置，该装置包括但不限于采用真空阀门串联的预加热腔、保温碲化锑沉积腔、镍钒合金沉积腔、降温出料腔、真空系统等，该装置可实现对衬底的双面同时进行镀膜，增加镀膜有效区间，提高生产效率，易于检修。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化镉 薄膜 太阳能电池 接触 制作方法 立式 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
一种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，其特征在于：该制作过程均在真空环境中进行，步骤如下：第一步，对衬底（1）进行预加热至160～220℃，一边加热一边抽真空；第二步，将衬底（1）加热至230～320℃，再进行碲化锑磁控溅射，碲化锑的厚度为10～150nm；第三步，将上述衬底（1）冷却至80～120℃后，进行镍钒合金溅射，镍钒合金的厚度为0.5～5 m；第四步，将上述衬底（1）降温到70℃以下后出料，制得碲化镉薄膜太阳能电池背接触层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都中光电阿波罗太阳能有限公司，未经成都中光电阿波罗太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210117624.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大模板下混凝土洒水养护装置
- 下一篇：一种钢管接长件
- 同类专利
- 专利分类
