[发明专利]碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法及立式镀膜装置

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，其特征在于：该制作过程均在真空环境中进行，步骤如下：

第一步，对衬底（1）进行预加热至160～220℃，一边加热一边抽真空；

第二步，将衬底（1）加热至230～320℃，再进行碲化锑磁控溅射，碲化锑的厚度为10～150nm；

第三步，将上述衬底（1）冷却至80～120℃后，进行镍钒合金溅射，镍钒合金的厚度为0.5～5??m；

第四步，将上述衬底（1）降温到70℃以下后出料，制得碲化镉薄膜太阳能电池背接触层。

2.如权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，其特征在于：在上述第一步、第二步的碲化锑磁控溅射步骤和第三步的镍钒合金溅射中，均是在压强为0～10Pa的条件下进行。

3.如权利要求1或2所述的碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，其特征在于：在第二步工艺中，将衬底（1）加热至270～280℃。

4.如权利要求1或2所述的碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，其特征在于：在第四步工艺中，衬底（1）降温至40～60℃后出料。

5.一种采用上述方法制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置，其特征在于：该制作装置包括采用真空阀门（2）串联的预加热腔（3）、保温碲化锑沉积腔（4）、镍钒合金沉积腔（5）和降温出料腔（6），这四个腔的下方设置有衬底传动装置和真空机组（8），上方设置有氩气控制系统（9）；其中，保温碲化锑沉积腔（4）靠近预加热腔（3）的前半部分为加热区（4-1），后半部分为碲化锑溅射区（4-2），碲化锑溅射靶头相对安装于碲化锑溅射区（4-2）两侧的门盖上；镍钒合金沉积腔（5）靠近保温碲化锑沉积腔（4）的前半部分为冷却区（5-1），后半部分为镍钒合金溅射区（5-2），镍钒合金溅射靶头相对安装于镍钒合金溅射区（5-2）两侧的门盖上。

6.如权利要求5所述的制作装置，其特征在于：所述衬底传动装置为由电机（10）驱动的传输滚轮（11），衬底（1）通过衬底支架（12）置于传输滚轮（11）上，预加热腔（3）、保温碲化锑沉积腔（4）、镍钒合金沉积腔（5）和降温出料腔（6）均与控制系统（13）连接，该控制系统（13）根据检测到的这四个腔的压强、温度、衬底位置、碲化锑厚度和镍钒合金厚度时对传输滚轮（11）的运动速度进行控制。

7.如权利要求6所述的制作装置，其特征在于：所述预加热腔（3）、保温碲化锑沉积腔（4）、镍钒合金沉积腔（5）和降温出料腔（6）的上部均设置在独立的测压器（7）。

8.如权利要求7所述的制作装置，其特征在于：所述真空机组（8）均为无油真空机组。