[发明专利]CMP研磨方法有效
| 申请号： | 201210114838.4 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103372807A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00;B24B37/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMP研磨方法，包括第一研磨步骤和第二研磨步骤，所述第一研磨步骤、第二研磨步骤采用不同的研磨垫，该方法的特征在于：所述第一、第二研磨步骤所采用的研磨垫的使用时长之和不大于45小时，所述第一、第二研磨步骤所采用的研磨垫的使用时长相差15小时。该方法通过在两步研磨的CMP工艺中分别控制两片研磨垫的使用时间，利用两步研磨对晶圆膜厚的累加效应，有效延长了两步研磨工艺中研磨垫的使用时长，从而可降低集成电路的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种CMP研磨方法，包括第一研磨步骤与第二研磨步骤，所述第一研磨步骤、第二研磨步骤采用不同的研磨垫，其特征在于：所述第一、第二研磨步骤所采用的研磨垫的使用时长之和不大于45小时，所述第一、第二研磨步骤所采用的研磨垫的使用时长相差15小时。
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