[发明专利]基于宽禁带氧化物包覆量子点的电双稳态器件

摘要

本发明涉及一种基于宽禁带氧化物包覆量子点的电双稳态器件，其结构包括：透明电极衬底；空穴缓冲层，该缓冲层制作在透明电极衬底上；P型半导体聚合物层；量子点有源层，该有源层就是基于宽禁带氧化物包覆量子点的薄膜，该有源层制作在P型半导体聚合物层上，是该电双稳态器件的核心；铝电极蒸镀在量子点有源层上，作为器件的阴极。基于宽禁带氧化物包覆量子点的电双稳态器件由于其具有低成本，易加工，膜层薄以及电流开关比高的特点，在未来的信息电子工业领域有着广阔的应用前景。

主权项

一种利用宽禁带氧化物包覆的量子点制备的电双稳态器件，其特征在于，其中包括：(1)透明导电电极衬底；(2)PEDOT空穴缓冲层，该缓冲层具有平滑衬底表面和降低空穴注入势垒的作用；(3)p型半导体聚合物层，该聚合物层制作在所述PEDOT空穴缓冲层上，可有效增大空穴的传输能力；(4)量子点有源层，是利用宽禁带氧化物包覆的量子点作为功能材料；(5)金属电极。