[发明专利]一种多孔AlN/GaN薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种通过一种利用镀膜技术、合金薄膜陶瓷化技术和去合金法技术三者相结合的方法来制备多孔AlN或GaN薄膜的方法。首先制备Al或Ga的合金薄膜，并在高纯氮气或高纯氨气的气氛下，在700～1000℃之间某一温度保温氮化3～10h，制备出氮化合金薄膜，然后经过酸洗，使得氮化合金薄膜中的另外一种金属的氮化物溶解在酸中，最后经过水洗干燥制得多孔AlN/GaN薄膜。利用本发明提供的方法可以低成本、高产能的制备出的多孔AlN或GaN薄膜的孔径在100～500nm范围内，相邻孔壁厚在10nm～50nm范围内、孔的比表面积在60～100m2/g，孔占薄膜的体积比约50％。

主权项

一种多孔AlN/GaN薄膜的制备方法，其特征在于，具体按以下步骤实施：步骤1，称取原料，按物质的量之比为3∶7～7∶3称取A组分和B组分，A组分为Al或Ga，B组分为Mg、Li或Ca中任一种，或任意两种或三种以任意比例的组合；步骤2，制备合金薄膜，将A组分与B组份同时向基片上沉积，制得合金薄膜；步骤3，合金薄膜氮化，把合金薄膜连同基片材料在真空气氛炉中，在氮气或氨气气氛中，以150～300℃/h的加热速度从室温加热到700℃～1000℃后，在700℃～1000℃的温度下保温氮化3h～10h，以获得合金氮化物薄膜；步骤4，酸洗，将氮化得到的合金氮化物薄膜连同基片冷却到室温后，浸泡到酸中1h～3h，使B组份的氮化物充分溶解到酸中，得到多孔薄膜；步骤5，清洗、干燥，把经酸洗得到的多孔薄膜浸泡以去除薄膜孔中的酸溶液，并进行干燥，即可。