[发明专利]一种硅基异质PN结构几何巨磁阻器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210110525.1 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102623630A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 章晓中;朴红光;万蔡华;王集敏;高熙礼 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 陈波 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于磁检测和磁传感器材料以及相关测控器件技术领域的一种硅基异质PN结构巨磁阻器件及其制备方法。该硅基巨磁阻器件是将p型/n型单晶Si(100)基片通过金属压焊或熔接(金属键合)制成p-Si/金属/n-Si串联型异质PN结构，制备时将p型/n型Si基片用丙酮(或酒精)漂洗干净后裁剪并进行金属键合，用功函数功函数接近Si材料的金属沉积(或者压制)法制作电极于p型/n型Si基片。在每个Si基片上各设有2个电极，4个电极必须一一对齐。该磁阻器件的结构和制备工艺简单、对磁场的响应-灵敏，因此在磁检测和磁电控制技术领域有着深远的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基异质 pn 结构 几何 磁阻 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基异质PN结构几何巨磁阻器件，其特征在于：该巨磁阻器件是p型和n型两种Si(100)基片通过金属键合而成，该巨磁阻器件为层状或侧联型硅基异质PN结构；对于层状硅基异质PN结构，p型和n型Si基片的一面通过金属键合对齐相接得到层状硅基异质PN结构，在层状硅基异质PN结构的上下表面上，各自设置2个电极共4个电极，这4个电极要上下左右相互对齐；对于侧联型硅基异质PN结构，p型和n型两种Si(100)基片的一侧通过金属键合对齐相接得到侧联型硅基异质PN结构，在侧联型硅基异质PN结构的一面设置4个电极，其中p型和n型Si(100)基片上各2个，这4个电极形成的几何形状为矩形。
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