[发明专利]大面积有序可控表面增强拉曼活性基底的制备方法无效
| 申请号： | 201210105001.3 | 申请日： | 2012-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102621128A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 宋国峰;王立娜;张晶;白文理;蔡立康;胡海峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种大面积有序可控表面增强拉曼活性基底的制备方法，包括如下步骤：步骤1：使用电子束蒸发技术，在一洁净衬底表面沉积金属薄膜；步骤2：在金属薄膜上旋涂光刻胶并前烘；步骤3：采用全息干涉曝光技术，得到图形化的光刻胶掩膜板，从而形成由衬底、金属薄膜和图形化的光刻胶掩膜板所组成的基片；步骤4：对基片进行刻蚀，刻蚀深度到达衬底的表面；步骤5：去除剩余的光刻胶，形成大面积有序可控表面增强拉曼活性基底。本发明制备的表面增强拉曼活性基底具有面积大、结构有序可控、重复性好、稳定性高、制作成本低及操作简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 有序 可控 表面 增强 活性 基底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大面积有序可控表面增强拉曼活性基底的制备方法，包括如下步骤：步骤1：使用电子束蒸发技术，在一洁净衬底表面沉积金属薄膜；步骤2：在金属薄膜上旋涂光刻胶并前烘；步骤3：采用全息干涉曝光技术，得到图形化的光刻胶掩膜板，从而形成由衬底、金属薄膜和图形化的光刻胶掩膜板所组成的基片；步骤4：对基片进行刻蚀，刻蚀深度到达衬底的表面；步骤5：去除剩余的光刻胶，形成大面积有序可控表面增强拉曼活性基底。
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