[发明专利]一种工艺基底边缘场的调平方法有效

专利信息
申请号: 201210104002.6 申请日: 2012-04-11
公开(公告)号: CN103365125A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 王献英;李术新;段立峰 申请(专利权)人: 上海微电子装备有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人: 王光辉
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开一种工艺基底边缘场的调平方法,本发明首先将工艺图像的形状测量出来,在曝光时首先将特征图像的测量值补偿掉,然后再利用前馈调平法进行边缘场曝光本发明中使用的前馈调平不要求参考场或参考区域必须都在基底上,参考场也可以部分在基底上部分在基底外。通过本发明的技术方案,当对具有特殊工艺的基底的边缘场进行调平时,即使调焦调平光斑的测量值与工艺图形形状相关,也能获得很好的调平效果,从而使得边缘场获得很好的曝光效果。
搜索关键词: 一种 工艺 基底 边缘 平方
【主权项】:
1.一种工艺基底边缘场的调平方法,其特征在于,包括:步骤一:基底划分为若干曝光场,所述曝光场分为内场和所述边缘场,测量部分所述曝光场的特征图形,即在部分曝光场上沿同一方向采样高度值及倾斜值,记为zjRxjRyj,j表示某个采样点;步骤二:根据采样的每个曝光场内采样点的数量,分别计算所述采样点的高度值及倾斜值的平均值,分别计算每个曝光场所述采样点的高度值及倾斜值和所述平均值的差值zRxRy;步骤三:根据采样的曝光场的数量,对所述差值进行平均得到差值平均值;步骤四:开始曝光,当曝光到边缘场时内沿所述同一方向采样高度值及倾斜值zjRxjRyj;步骤五:将步骤三的差值平均值补偿至步骤四的高度值及倾斜值上,得到实际值;步骤六:根据步骤五所获得的实际值计算所述边缘场曝光所需的垂向参考参数、垂向调平参数;步骤七:根据所述垂向调平参数对所述边缘场进行垂向控制和调焦调平。
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