[发明专利]由剥离纳米片制备暴露特定晶面过渡金属氧化物纳米单晶的方法有效
| 申请号： | 201210103448.7 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102616840A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 温普红;冯旗 | 申请（专利权）人： | 温普红 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053;C01G3/02;C01G45/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宝鸡市新发明专利事务所 61106 | 代理人： | 李凤岐 |
| 地址： | 721013 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种由剥离纳米片制备暴露特定晶面过渡金属氧化物纳米单晶的方法，包括下述步骤：第一步：按过渡金属层状化合物重量与有机胺类剥离剂水溶液体积之比为(2～10)g∶1L的比例，将过渡金属层状化合物置于(0.01～0.3)mol/L浓度的有机胺类剥离剂水溶液中，室温下搅拌，完成剥离反应，得到前躯体纳米片胶体溶液；第二步：将得到的前躯体纳米片胶体溶液pH值用盐酸或硝酸或氢氧化钾或所述剥离剂水溶液调至所需的pH＝2～12后，装入水热合成反应釜中，进行水热反应，反应结束后通过离心分离、洗涤、干燥，即制得暴露特定晶面的过渡金属氧化物纳米单晶。本发明利用原位拓扑结构转变反应来实现暴露特定结晶面，在形貌控制上，主要利用各晶面的溶解性能的差异，通过控制合成过程中的pH和温度，实现对纳米晶的形貌控制合成。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 纳米 制备 暴露 特定 过渡 金属 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
一种由剥离纳米片制备暴露特定晶面过渡金属氧化物纳米单晶的方法，其特征是所述方法包括下述步骤：第一步：按过渡金属层状化合物重量与有机胺类剥离剂水溶液体积之比为(2～10)g∶1L的比例，将过渡金属层状化合物置于(0.01～0.3)mol/L浓度的有机胺类剥离剂水溶液中，室温下搅拌，完成剥离反应，得到前躯体纳米片胶体溶液；第二步：将得到的前躯体纳米片胶体溶液pH值用盐酸或硝酸或氢氧化钾或所述剥离剂水溶液调至所需的pH＝2～12后，装入水热合成反应釜中，进行水热反应，反应结束后通过离心分离、洗涤、干燥，即制得暴露特定晶面的过渡金属氧化物纳米单晶。
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