[发明专利]带辅助线条的双层衰减相移接触孔掩模衍射场的计算方法

摘要

本发明提供一种带SRAF的双层衰减相移接触孔掩模衍射场的计算方法，具体步骤为：步骤一、设定x方向上保留的谐波数为Lx，设定y方向上保留的谐波数为Ly；步骤二、根据布洛开条件，求解第(m，n)个衍射级次的波矢量沿着切向、法向的分量；步骤三、针对双层衰减相移接触孔掩模的每一个二维光栅层，对其介电常数和介电常数倒数分别进行Fourier级数展开；步骤四、根据步骤二中及步骤三中计算出的参数求解每层光栅的特征矩阵，根据电磁场切向连续边界条件，利用增强透射矩阵法求解出射区域的衍射场，采用本发明能快速求解得到带辅助线条的双层衰减相移接触孔掩模的衍射场。

主权项

1.一种带SRAF的双层衰减相移接触孔掩模衍射场的计算方法，其特征在于，具体步骤为：步骤一、设定x方向上保留的谐波数为L_x，设定y方向上保留的谐波数为L_y；步骤二、根据布洛开条件，求解第(m，n)个衍射级次的波矢量沿着切向、法向的分量，其中m为取遍[-D_x，D_x]之间的整数，n为取遍[-D_y，D_y]之间的整数，L_x＝2D_x+1，L_y＝2D_y+1；波矢量沿着切向即x、y轴的分量α_m、β_m为αm=α0-2πm/Λxβn=β0-2πn/Λy---(1)]]>α₀＝n_Iksinθcosδ，β₀＝n_Iksinθsinδ    (2)其中k是入射光波在真空中的波矢量，n_I是入射区的折射率，θ是光波的入射角，δ为光波的方位角，Λ_x为掩模沿x方向的周期，Λ_y为掩模沿y方向的周期；波矢量沿着光栅平面的法向即z轴的分量r_(m，n)、t_(m，n)为：r(m,n)=[(nIk)2-αm2-βn2]1/2αm2+βn2≤(nIk)2-j[αm2+βn2-(nIk)2]1/2αm2+βn2>(nIk)2---(3)]]>t(m,n)=[(nIIk)2-αm2-βn2]1/2αm2+βn2≤(nIIk)2-j[αm2+βn2-(nIIk)2]1/2αm2+βn2>(nIIk)2---(4)]]>其中下标I表示入射区，n_I表示入射区的折射率，下标II表示出射区，n_II表示出射区的折射率，j表示虚数单位；步骤三、针对双层衰减相移接触孔掩模的每一个二维光栅层，对其介电常数和介电常数倒数分别进行Fourier级数展开；介电常数的Fourier展开式为：ϵL(x,y)=Σp=-∂x∂xΣq=-∂y∂yϵL,(p,q)exp[j2π(px/Λx+qy/Λy)](L=1,2)---(5)]]>介电常数倒数的Fourier展开式为：1/ϵL(x,y)=Σp=-∂x∂xΣq=-∂y∂yξL,(p,q)exp[j2π(px/Λx+qy/Λy)](L=1,2)---(6)]]>其中ε_L(x，y)为第L层光栅的介电常数，β_L，(p，q)为第L层光栅相对介电常数第(p，q)个Fourier分量，ξ_L，(p，q)为第L层光栅相对介电常数倒数的第(p，q)个Fourier分量；步骤四、根据步骤二中计算的α_m、β_n、r_(m，n)、t_(m，n)以及步骤三中计算的ε_L，(p，q)、ξ_L，(p，q)求解每层光栅的特征矩阵，根据电磁场切向连续边界条件，利用增强透射矩阵法求解出射区域的衍射场。