[发明专利]全印刷柔性碳纳米管薄膜晶体管的制备方法无效
申请号: | 201210098673.6 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN102723276A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 赵建文;高育龙;顾唯兵;崔铮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 杨林;金玉兰 |
地址: | 215123 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种全印刷柔性碳纳米管薄膜晶体管的制备方法,采用纳米压印技术在柔性基体表面构建出大面积银微网格电极阵列,再通过化学镀方法把微网格电极表面变得更加平整,同时进一步增加导电率。然后采用喷墨打印或气溶胶打印技术将半导体碳纳米管墨水沉积在沟道中,并通过打印技术制备侧栅和高电容介电层。该工艺相对简单,可大规模制备大面积的高性能全印刷柔性碳纳米管薄膜晶体管器件,且侧栅电极结构与传统的顶电极结构相比,可以消除顶电极与介电层之间的兼容性等问题,简化了晶体管的结构,为全印刷柔性逻辑电路的构建及相关应用的研究打下了坚实的基础。 | ||
搜索关键词: | 印刷 柔性 纳米 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种全印刷柔性碳纳米管薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括:(1)选取柔性衬底;(2)通过纳米压印技术在柔性衬底表面制作银微网格电极阵列,形成源、漏电极沟道;(3)在银微网格电极表面化学镀金属电极;(4)通过打印技术将碳纳米管墨水沉积在源、漏电极沟道中,形成碳纳米管薄膜;(5)通过印刷技术在源、漏电极的一侧制备栅电极;(6)通过打印技术在碳纳米管薄膜表面沉积介电层,所述介电层与栅电极相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造