[发明专利]锂离子电池硅负极材料及其制备方法有效
申请号: | 201210098645.4 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN102709563A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 范晔;吴晓东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01M4/62 | 分类号: | H01M4/62;H01M4/134;H01M4/1395 |
代理公司: | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人: | 丁秀华 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种锂离子电池硅负极材料及其制备方法。该负极材料包括纳米硅粉以及包覆于所述纳米硅粉表面的包覆层,所述纳米硅粉的粒径为0.1nm-10μm,所述包覆层为二氧化硅并且其层厚度为1nm-1μm。该负极材料的制备方法包括如下步骤:1)将纳米硅粉充分分散在硅酸钠溶液中;2)向步骤1所得混合溶液中加入石墨导电材料并加入无机酸充分搅拌使之沉淀;3)对步骤2得到的沉淀物进行洗涤后涂抹至铜箔表面在150℃下烘干。因而,本发明提供了一种使活性硅发挥出较高容量,同时具有良好的循环性能的锂离子电池硅负极材料及其制备方法。 | ||
搜索关键词: | 锂离子电池 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种锂离子电池硅负极材料,其特征在于:其包括纳米硅粉以及包覆于所述纳米硅粉表面的包覆层,所述纳米硅粉的粒径为0.1nm‑10μm,所述包覆层为二氧化硅并且其层厚度为1nm‑1μm。
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