[发明专利]一种采用冶金法降低金属硅中硼杂质含量的方法无效

专利信息
申请号: 201210095413.3 申请日: 2012-04-02
公开(公告)号: CN102627394A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 张海霞;车永军;刘冬梅 申请(专利权)人: 锦州新世纪多晶硅材料有限公司
主分类号: C03B33/037 分类号: C03B33/037
代理公司: 锦州辽西专利事务所 21225 代理人: 李辉
地址: 121000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种采用冶金法降低金属硅中硼杂质含量的方法,将碳酸钙粉与二氧化硅粉进行混合得造渣剂,将造渣剂与金属硅粉进行混合,加入0.1%~10%H2O2搅拌均匀,自然冷却干燥,加入至陶瓷坩埚容积的1/3处,启动由中频等离子加热器和中频感应线圈组成的加热装置,使混合物料熔化,加入金属硅粉,金属硅粉熔化,关闭中频等离子加热器,增加中频感应线圈的频率,继续加热,使金属硅粉完全熔化为金属硅液;反复将带有冷却系统的石英棒浸入金属硅液中转动除渣相,去除硅液中的渣相。该方法操作步骤简单,对设备要求不高,且不易引入杂质且不会造成硅浪费,生产成本低;提纯硅中的硼含量在0.2ppm以下,符合太阳能级多晶硅的要求。
搜索关键词: 一种 采用 冶金 降低 金属硅 杂质 含量 方法
【主权项】:
一种采用冶金法降低金属硅中硼杂质含量的方法,其特征在于,具体步骤是:1.1将质量比为1:0.5~1:5的碳酸钙粉与二氧化硅粉进行混合,得造渣剂;1.2将质量比为1:0.5~1:2.5的造渣剂与金属硅粉进行混合,加入浓度为0.1%~10% H2O2搅拌均匀,其中,造渣剂与加入的H2O2的质量体积比为1:2~1:5g/ml,自然冷却干燥,得混合物料;1.3将混合物料加入至陶瓷坩埚容积的1/3处,启动由中频等离子加热器和中频感应线圈组成的加热装置,在55KHz~65 KHz频率下,使混合物料熔化,然后加入金属硅粉填满陶瓷坩埚,金属硅粉熔化后反复补充金属硅粉,直至熔化后的金属硅粉填满陶瓷坩埚,关闭中频等离子加热器,增加中频感应线圈的频率至75KHz~85 KHz,继续加热,使金属硅粉完全熔化为金属硅液,并继续熔炼5min~40min;1.4将带有冷却系统的石英棒浸入金属硅液中,以30转/min~200转/min的速度转动, 渣相附着于石英棒上,转动2min~15min后,将石英棒提出,轻敲石英棒,渣相自动脱落;1.5反复将石英棒浸入金属硅液中转动除渣相2次~5次,去除硅液中的渣相。
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