[发明专利]1μm带宽光隔离器无效
申请号: | 201210091260.5 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103364972A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 矢作晃;田边敏之;渡边聪明 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G02F1/09 | 分类号: | G02F1/09 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种小型化的1μm带宽光隔离器,它适合作为激光加工等用途中使用的大功率激光器,譬如光纤激光器中的光隔离器。该1μm带宽光隔离器包括:法拉第转子,其在波长1.06μm下的费尔德常数为0.27min/(Oe*cm)以上;第1中空磁铁,被配置在上述法拉第转子的外周;以及第2及第3中空磁铁单元,在光轴上配置成将第1中空磁铁夹在中间。其特征在于:第2及第3中空磁铁单元,由沿与光轴方向成90度角的方向均等分割而得到的两个以上的磁铁构成;施加到所述法拉第转子上的磁通密度B(Oe)在下式(1)的范围之内;所述法拉第转子所配置的光路长L(cm)在下式(2)的范围之内。0.5×104≤B≤1.5×104 (1),0.70≤L≤1.10 (2)。 | ||
搜索关键词: | 带宽 隔离器 | ||
【主权项】:
一种1μm带宽光隔离器,包括:法拉第转子,其在波长1.06μm下的费尔德常数为0.27min/(Oe·cm)以上;第1中空磁铁,被配置在上述法拉第转子的外周;以及第2及第3中空磁铁单元,在光轴上配置成将第1中空磁铁夹在中间。其特征在于:所述第2及第3中空磁铁单元,由沿与光轴方向成90度角的方向均等分割而得到的两个以上的磁铁构成;施加到所述法拉第转子上的磁通密度B(Oe)在下式(1)的范围之内;所述法拉第转子被配置的光路长L(cm)在下式(2)的范围之内。0.5×104≤B≤1.5×104 (1)0.70≤L≤1.10 (2)。
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