[发明专利]带有预偏磁的磁性元件及其制造方法有效
申请号: | 201210091060.X | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN103366922B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 郑庆杰;谢芳;孙永杰 | 申请(专利权)人: | 山特电子(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01F17/04 | 分类号: | H01F17/04;H01F27/24;H01F41/02 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 518101 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种带有预偏磁的磁性元件,包括:磁芯,所述磁芯上具有气隙;缠绕在磁芯上的绕组;和位于磁芯磁路中的永磁体;其中,所述永磁体在磁路中产生的磁场方向与绕组电流在磁路中产生的磁场方向相反;当绕组电流为零时,永磁体在磁路中产生的磁场强度不超过磁芯的饱和磁通密度;所述磁芯上具有凹槽,选择凹槽的位置使得绕组产生的磁场在该位置中出现最小值;所述永磁体位于凹槽内。永磁体产生较小的涡流,从而可以避免永磁体由于过热而退磁,而且体积小,组装方便。 | ||
搜索关键词: | 带有 预偏磁 磁性 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种带有预偏磁的磁性元件,包括:磁芯,所述磁芯上具有气隙;缠绕在磁芯上的绕组;和位于磁芯磁路中的永磁体;其特征在于:所述永磁体在磁路中产生的磁场方向与绕组电流在磁路中产生的磁场方向相反;当绕组电流为零时,永磁体在磁路中产生的磁场强度不超过磁芯的饱和磁通密度;所述磁芯上具有凹槽,选择凹槽的位置使得绕组产生的磁场在该位置中出现最小值;所述永磁体位于凹槽内。
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