[发明专利]非晶硅薄膜中间带材料及其制备方法无效
申请号: | 201210088816.5 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN102544243A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 曹权;周天微;左玉华;王启明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/0376 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于太阳能电池的非晶硅薄膜中间带材料的制备方法及该方法制备的非晶硅薄膜中间带材料,所述包括以下步骤:选择衬底的材料并对衬底进行预处理;在预处理过的衬底表面生长高浓度掺杂的非晶硅薄膜;对生长完成的非晶硅薄膜进行退火。本发明利用磁控溅射设备,化学气相沉积设备等薄膜生长设备,在晶硅、石英、玻璃、不锈钢等很多可以生长薄膜的衬底上,通过对生长条件的控制,实现杂质在非晶硅中的高浓度均匀掺杂,从而形成良好的非晶硅薄膜中间带材料。 | ||
搜索关键词: | 非晶硅 薄膜 中间 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种非晶硅薄膜中间带材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:选择衬底的材料并对衬底进行预处理;在预处理过的衬底表面生长高浓度掺杂的非晶硅薄膜;对生长完成的非晶硅薄膜进行退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210088816.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种CQI确定方法及装置
- 下一篇:防撬锁
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的