[发明专利]一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法

摘要

本发明公开了一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法，其主要区别于传统共沉淀法合成水滑石的方面在于：利用表面活性剂的插层作用对水滑石层间域高度进行调控；并在水滑石晶体形成的同时利用有机硅烷水解产生的Si–OH与粘土矿物表面的羟基原位缩合而有效改善矿物的表面亲和性，借此控制表面活性剂的用量，减少其脱附等潜在环境威胁以及所导致的复合材料稳定性与均一性的降低等。本发明的合成方法原料易得、操作简单易行，所得有机硅烷嫁接水滑石在粘土基纳米复合材料、有机阴离子环境污染物的修复和无卤阻燃剂等领域有重要的应用价值。

主权项

一种层间距可控型有机硅烷嫁接水滑石的原位共沉淀合成方法，包括如下步骤：1）配制二价金属盐和三价金属盐的混合溶液A，二价金属离子和三价金属离子的摩尔比为1～3:1；2）配制NaOH和阴离子表面活性剂的混合碱液B，其中NaOH浓度为1.0～6.0 mol L‑1，阴离子表面活性剂浓度为0.05 mol L‑1～0.6 mol L‑1；3）配制体积比为1～5:10（有机硅烷: 溶剂）的溶液C；4）室温条件下，将混合溶液A和混合碱液B同时滴入去离子水中，当出现白色沉淀时，开始滴加溶液C，滴加过程中不断搅拌并控制混合溶液pH值范围为8～10，滴加完毕后，继续搅拌5～7h，分离，取沉淀，洗涤、干燥，得到有机硅烷嫁接水滑石。