[发明专利]瞬变电磁数据快速准确的边框影响校正方法无效

专利信息
申请号: 201210079767.9 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN102621585A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 范涛 申请(专利权)人: 中煤科工集团西安研究院
主分类号: G01V3/38 分类号: G01V3/38
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 李罡
地址: 710075 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种瞬变电磁数据快速准确的边框影响校正方法。本发明根据野外实测数据,利用中心回线晚期视电阻率计算公式、趋肤深度估算公式计算相应视深度构建厚度—电阻率正演模型,根据给定模型通过公式计算发射回线中心位置和实际位置的频域电磁场,通过公式计算该点在发射回线中心位置和实际位置的正演时域二次场值,根据公式求取修正参数,根据公式计算校正后实测归一化感应电动势,预先指定的一个数,若误差满足条件则完成修正过程,若不满足,重复整个重复步骤,直到满足为止。本发明可以快速有效消除定性解释中由于边框效应带来的影响,大大提高瞬变电磁法资料处理速度及解释精度,从而推动该方法技术的大幅度发展及应用。
搜索关键词: 电磁 数据 快速 准确 边框 影响 校正 方法
【主权项】:
1.一种瞬变电磁数据快速准确的边框影响校正方法,其特征在于:通过以下步骤实现: (1)、根据野外实测数据,利用中心回线晚期视电阻率计算公式计算各点相应的视电阻率,式中亨/米,ST为发送回线面积,SR为接收线圈面积,t为测道时间,为归一化感应电动势是瞬变值,为视电阻率,π为圆周率;(2)、根据趋肤深度估算公式计算相应视深度,式中,为视深度,为经验参数,为视电阻率,为测道时间;(3)、通过对应的视深度—晚期视电阻率关系构建“厚度—电阻率”正演模型;(4)、根据步骤3给定模型通过计算发射回线中心位置和实际位置的频域电磁场,式中为观测场点与回线正中心点的偏移距离,为垂直磁场强度,为电流,为线圈半径,为波长,表示函数,表示贝塞尔函数;(5)、通过    计算该点在发射回线中心位置和实际位置的正演时域二次场值,式中为观测场点与回线正中心点的偏移距离,为垂直磁场强度变化率,为电流,为线圈半径,为波长,表示函数,表示贝塞尔函数,为角频率;(6)、根据    求取修正参数;(7)、根据   计算校正后实测归一化感应电动势;(8)、预先指定的一个数,若误差则完成修正过程,式中等于每一测点测道数目,为修正测点所在发射回线的中心点实测值,若不满足上式,令重复整个重复步骤(1)至(8),直到满足上式为止。
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