[发明专利]一种多晶硅真空炉用摩擦焊铜电极及其制造工艺

摘要

本发明涉及多晶硅真空炉生产设备中使用的铜电极，公开了一种多晶硅真空炉用摩擦焊铜电极及其制造工艺。产品包括铜电极杆，铜法兰，接电板，锁紧螺母，O型密封圈，绝缘保护组件，连接螺栓，其特征在于：铜电极杆至少设置两段，采用摩擦焊连为一体。制造工艺为：采用连续驱动摩擦焊机制造时，主要工艺参数为：主轴转速1300～1800r/min，顶锻压力100～130MPa，保压时间3～10s；采用惯性摩擦焊机制造时，主要工艺参数为：起始转速1500～2200r/min，转动惯量1.2～3.6kg·m2，顶锻压力100～130MPa，保压时间3～5s。采用本发明工艺制造简单、焊缝结合牢固，不影响导电性能，产品使用寿命长，并可对损坏的的铜电极杆修复使用。

主权项

一种多晶硅真空炉用摩擦焊铜电极，包括外径为32mm～50mm的铜电极杆，铜法兰，接电板，锁紧螺母，0型密封圈，绝缘保护组件，连接螺栓，其特征在于：铜电极杆至少设置两段，采用摩擦焊连为一体。