[发明专利]考虑器件老化的设计集成电路的方法

摘要

本发明涉及考虑器件老化的设计集成电路的方法，公开了一种设计集成电路(IC)的方法，包括通过提供标准单元库以及作为标准单元的引脚处的电活动的函数的标准单元内的器件电活动的器件活动文件，考虑热载流子注入、负偏置温度不稳定性和栅极氧化物击穿，来仿真IC的老化发展。提供标准单元发展文件，其存储标准单元的电特性老化数据。提供IC内的单元的各个实例的引脚处的仿真电活动的实例活动文件。实例活动文件和器件活动文件用于分析器件活动和器件的结果老化发展，并且然后产生IC的结果老化发展的数据。然后可以修改IC设计以便考虑老化发展。

主权项

一种设计半导体集成电路IC的方法，包括：提供标准单元的库，每个标准单元具有互连的器件以及用于连接到其它单元和/或端口的引脚的相应定义，所述库包含用于相应单元的布局和性能数据；提供作为相应标准单元的引脚处的电活动的函数的相应标准单元中的器件的电活动的器件活动文件DAF；提供作为相应标准单元中的器件的电特性的老化发展的函数的相应标准单元的电特性的发展的标准单元发展文件SCEF；提供实例活动文件IAF，实例活动文件仿真IC中的单元的各个实例的引脚处的电活动；使用所述实例活动文件IAF和所述器件活动文件DAF，以提供对IC中的所述器件的活动和所述器件的电特性的结果老化发展的仿真；使用所述标准单元发展文件SCEF和对所述器件的电特性的结果老化发展的所述仿真，以产生所述实例的电特性的结果老化发展的数据；以及使用所述实例的电特性的结果老化发展的所述数据，以产生IC的电特性的结果老化发展的数据；其中产生所述实例的电特性的结果老化发展的数据包括产生与新品实例的示意图相对应的老化实例的示意图，并且使用所述老化实例的示意图产生IC的电特性的结果老化发展的数据。