[发明专利]基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201210053645.2 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102583223A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 吴春艳;张梓晗;吕鹏;吴义良;王文坚;于永强;王莉;罗林保;揭建胜 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法，首先通过一次紫外光刻的方法在CuS准一维纳米结构上制备一对金属薄膜电极，这对金属薄膜电极通过所述CuS准一维纳米结构连通，与其呈欧姆接触；然后通过二次紫外光刻，在该对金属薄膜电极中插入铟锡氧化物(ITO)透明薄膜电极，所述ITO薄膜电极与所述CuS准一维纳米结交叉呈肖特基接触，形成CuS/ITO肖特基结纳米太阳能电池。本发明制备方法简单易行，稳定可靠，可以应用到多种准一维纳米尺寸的肖特基结纳米太阳能电池的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 cus 准一维 纳米 结构 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法，其特征在于：将CuS准一维纳米结构(3)分散在覆有绝缘层(2)的硅片(1)上，通过紫外光刻的方法在绝缘层(2)上制备一金属薄膜电极对(4)，所述金属薄膜电极(4)通过所述CuS准一维纳米结构(3)连通并且所述金属薄膜电极对(4)与CuS准一维纳米结构(3)呈欧姆接触；然后通过紫外光刻的方法在绝缘层(2)上制备一ITO透明薄膜电极(5)，所述ITO透明薄膜电极(5)位于所述金属薄膜电极对(4)之间并且与所述CuS准一维纳米结构(3)交叉呈肖特基接触，得到基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池即CuS/ITO肖特基结准一维纳米结构的纳米太阳能电池；所述绝缘层(2)为SiO2。
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