[发明专利]基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池的制备方法，其特征在于：将CuS准一维纳米结构(3)分散在覆有绝缘层(2)的硅片(1)上，通过紫外光刻的方法在绝缘层(2)上制备一金属薄膜电极对(4)，所述金属薄膜电极(4)通过所述CuS准一维纳米结构(3)连通并且所述金属薄膜电极对(4)与CuS准一维纳米结构(3)呈欧姆接触；然后通过紫外光刻的方法在绝缘层(2)上制备一ITO透明薄膜电极(5)，所述ITO透明薄膜电极(5)位于所述金属薄膜电极对(4)之间并且与所述CuS准一维纳米结构(3)交叉呈肖特基接触，得到基于CuS准一维纳米结构的纳米太阳能电池即CuS/ITO肖特基结准一维纳米结构的纳米太阳能电池；所述绝缘层(2)为SiO₂。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述CuS准一维纳米结构(3)为长度不小于10μm的纳米线、纳米管或纳米带；所述纳米管的直径小于1μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属薄膜电极对(4)为包括In、Ti、Au、Cu中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述ITO透明薄膜电极(5)采用脉冲激光沉积的方法镀膜，镀膜时的真空度为1-3×10^-3Pa，沉积所用激光能量为120mJ，脉冲频率为5Hz。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述ITO透明薄膜电极(5)厚度为50-500nm，所述ITO透明薄膜电极(5)和所述CuS准一维纳米结构(3)相接触的宽度小于5μm。