[发明专利]RI 制造装置无效
| 申请号： | 201210053170.7 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102655029A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 田中秀树 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | G21G1/10 | 分类号： | G21G1/10;G21K5/00;G21F3/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种RI制造装置，其能够在维修配置于自屏蔽体内的设备时，降低被放射化的靶辐射的危险，并能够缩短用于衰减放射线的待机时间。一种RI制造装置(1)，其具有加速带电粒子的加速器(2)、被照射带电粒子束的靶(3)及包围这些加速器(2)及靶(3)来屏蔽放射线的自屏蔽体(6)，其结构设为具备在自屏蔽体(6)与加速器(2)之间包围靶(3)来屏蔽放射线的靶屏蔽体(7、8)。即使在开放自屏蔽体(6)的情况下，来自靶(3)的放射线也会被靶屏蔽体(7、8)屏蔽，因此在维修靶(3)以外的设备时，不用等待放射线衰减也能够进行操作。 | ||
| 搜索关键词： | ri 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种放射性同位素制造装置，其特征在于，具备：加速带电粒子的加速器；照射由所述加速器加速的所述带电粒子来制造放射性同位素的靶；作为包围所述加速器及所述靶来屏蔽放射线的壁体的自屏蔽体；及配置于所述自屏蔽体与所述加速器之间，作为包围所述靶来屏蔽放射线的壁体的靶屏蔽体。
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