[发明专利]RI 制造装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种RI(放射性同位素)制造装置。 

背景技术

例如在用于正电子发射计算机断层显像(PET；Positron Emission Tomography)的、在以放射性元素标记的检查用药剂的制造或放射线治疗中，使用回旋加速器等粒子加速器。启动粒子加速器时，由于产生中子束或伽马射线等放射线，因此需要屏蔽放射线。 

一直以来，通过由放射线屏蔽壁体覆盖设置有粒子加速器的建筑物自身来屏蔽放射线，但是近几年从谋求降低建筑物重量及成本的观点出发，开发了通过放射线屏蔽壁体包围粒子加速器自身来屏蔽的所谓自屏蔽型粒子加速器系统(例如，参考专利文献1)。 

专利文献1所述的加速器系统如下构成：即包围加速器自身的自屏蔽体(放射线屏蔽壁体)形成为被分割成固定侧的放射线屏蔽壁体与可动侧的放射线屏蔽壁体，以便移动可动侧的放射线屏蔽壁体来开放内部的结构。例如，在维修作为加速器的回旋加速器时，通过移动可动侧块体来开放内部，从而能够轻松进入内部。 

专利文献1：日本特开2005-127901号公报 

制造RI的RI制造装置的靶由于直接暴露于带电粒子束，因此由于每天的运行而进行放射化。若进行放射化，则即使为停止运行后(停止照射带电粒子束后)，也从靶放射放射线，因此在维修设置于自屏蔽体内部的靶以外的设备时，需要等待放射线衰减才可开放自屏蔽体。因此，有运行停止时间变长之类的问题。 

发明内容

本发明鉴于上述情况而成，其目的在于提供如下的RI制造装置，即在 维修配置于自屏蔽体内的设备时，能够降低被放射化的靶辐射的危险，并能够缩短用于衰减放射线的待机时间。 

本发明的RI制造装置，其特征在于，具备：加速带电粒子的加速器；照射由加速器加速的带电粒子来制造放射性同位素的靶；作为包围加速器及靶来屏蔽放射线的壁体的自屏蔽体；及配置于自屏蔽体与加速器之间，作为包围靶来屏蔽放射线的壁体的靶屏蔽体。 

根据如此构成的RI制造装置，由于其结构为在比自屏蔽体更靠内侧，具备作为包围靶来屏蔽放射线的壁体的靶屏蔽体，因此能够屏蔽从放射化的靶放射的放射线。因此，即使开放自屏蔽体，来自靶的放射线也会被靶屏蔽体屏蔽，因此在维修配置为比自屏蔽体更靠内侧的靶以外的设备时，不用等待放射线衰减也能够进行操作，并能够降低操作者被辐射的危险。而且，由于是在比自屏蔽体更靠内侧具备靶屏蔽体的结构，因此配置在比靶屏蔽体更靠外侧的自屏蔽体以比以往更少的屏蔽材料产生与以往相同的屏蔽效果。 

其中，优选靶屏蔽体为具备屏蔽伽马射线的伽马射线屏蔽板及配置于该伽马射线屏蔽板的靶侧且屏蔽中子束的中子束屏蔽板的结构。如此若为在靶侧具备中子束屏蔽板且在其外侧具备伽马射线屏蔽板的结构，则能够通过外侧的伽马射线屏蔽板屏蔽因中子束碰撞中子束屏蔽板而产生的伽马射线。 

而且，优选自屏蔽体由多个零件组成，多个零件中的至少一个为可移动的结构，靶屏蔽体具有可开关的门，门与邻接于该门的部件的接缝形成在与自屏蔽体的多个零件之间的接缝偏离的位置。如此，若在靶屏蔽体上设置门，则在维修配置于内侧的靶时，能够通过开放门来轻松进入，因此能够轻松完成靶的更换操作等维修操作。而且，通过将靶屏蔽体的门的接缝与外侧的自屏蔽体的接缝配置在偏离的位置，从而能够避免上述两个接缝配置于相同直线上，从而防止放射线从接缝透射的危险。 

而且，优选使导出靶内的放射性同位素的导出管通过的缺口部设置于靶屏蔽体的下表面侧。容纳于靶内的放射性同位素通过导出管导出至RI制造装置的外部。此时，若在屏蔽放射线的需求较少的靶的下表面侧设置使导出管通过的缺口部，则通过该缺口部的放射线碰撞底面而反射并被衰减， 而且，因反射而使距离增加，并且由距离引起的衰减变大，由此可以降低操作者被辐射的危险。而且，在维修时，操作者无需进入靶屏蔽体的正下方，因此也无需考虑被直射下方的放射线辐射，所以即使在无覆盖靶的底面侧的放射线屏蔽壁体的情况下，也不会尤其成为问题。 

发明效果 

如此根据本发明，由于具备包围靶来屏蔽放射线的靶屏蔽体，因此即使在开放自屏蔽体的情况下，也能够降低被放射化的靶辐射的危险，在维修配置于自屏蔽体内的靶以外的设备时，能够缩短用于衰减放射线的待机时间，并能够缩短运行停止时间。 

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的RI制造装置的沿XY面的截面图。 

图2是本发明的实施方式所涉及的RI制造装置的沿ZX面的截面图。