[发明专利]用于从薄膜取下至少一个芯片状半导体构件的设备和方法有效
| 申请号： | 201210037539.5 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102646635A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 阿明·斯图特 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨靖;车文 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于从薄膜取下至少一个芯片状半导体构件的设备和方法，该方法具有下列步骤：抬升装置相对薄膜布置，其中，抬升装置的接触区贴靠在薄膜的第二主面上，与布置在第一主面上的待取下的呈芯片状半导体构件相对。借助配属的负压调节装置，用针对所有抽吸凹槽的恒定负压值或用针对不同的抽吸凹槽或抽吸凹槽组的不同负压值加载抬升装置的多个抽吸凹槽。薄膜在接触区中通过借助抬升件抬升薄膜而局部变形，抬升件布置在抬升装置的所配属的凹槽中。借助取下装置从薄膜取下至少一个半导体构件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 取下 至少 一个 芯片 半导体 构件 设备 方法 | ||
【主权项】：
用于从粘性薄膜(12)取下至少一个呈芯片状的半导体构件(10)的设备，其中，所述半导体构件(10)布置在所述薄膜(12)的第一主面(120)上，所述设备带有用于所述半导体构件(10)的取下装置(20)和带有能在所述薄膜的第二主面(122)处布置的抬升装置(22)，其中，所述抬升装置(22)具有用于相对所述薄膜(12)布置的接触区(30)，其本身具有多个抽吸凹槽(50、52)和用于呈销钉状的抬升件(40)的凹槽(42)，其中，所有的抽吸凹槽(50、52)共同联接到负压调节装置(60、62)上，或至少两个抽吸凹槽(50、52)或抽吸凹槽(50、52)的组联接在分开的负压调节装置(60、62)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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