[发明专利]激光加工方法有效

专利信息
申请号: 201210032963.0 申请日: 2007-07-03
公开(公告)号: CN102554462A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 杉浦隆二;坂本刚志 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: B23K26/00 分类号: B23K26/00;B23K26/08;H01L21/301
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种激光加工方法,其能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。通过将聚焦点对准硅晶片(11)的内部在加工对象物(1)上照射激光,并使聚焦点沿着切割预定线(5)相对移动,由此,沿着切割预定线(5)分别形成位于加工对象物(1)的内部的改质区域(M1)、(M2)之后,在加工对象物(1)的内部形成位于改质区域(M1)和改质区域(M2)之间的改质区域(M3)。
搜索关键词: 激光 加工 方法
【主权项】:
一种激光加工方法,其特征在于,通过将聚焦点对准板状的加工对象物的内部照射激光,从而沿着所述加工对象物的切割预定线,在所述加工对象物的内部形成成为切割的起点的改质区域,所述板状的加工对象物具备一表面和与该一表面相对的另一表面,所述激光加工方法包括:从所述一表面入射激光,沿着所述切割预定线,形成在所述加工对象物的厚度方向上排列的第1改质区域和第2改质区域的工序;在所述形成第1改质区域和第2改质区域的工序之后,从所述一表面照射激光并透过所述第1改质区域或所述第2改质区域的任意一个区域,由此,沿着所述切割预定线,形成位于所述第1改质区域与所述第2改质区域之间的第3改质区域的工序,在形成所述第1改质区域和第2改质区域的工序中,从所述一表面入射激光,沿着所述切割预定线形成第1改质区域;在形成所述第1改质区域之后,从所述一表面入射激光,沿着所述切割预定线,形成位于所述第1改质区域与所述一表面之间的第2改质区域;在形成所述第3改质区域的工序中,至少产生跨过所述第1改质区域与所述第2改质区域之间的割裂。
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