[发明专利]激光加工方法

说明书

本申请是申请日为2007年7月3日、申请号为200710126927.X、发明名称为激光加工方法和芯片的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及用于将板状的加工对象物沿着切割预定线切割的激光加工方法。

背景技术

作为现有的激光加工方法，已知有通过将聚焦点对准板状加工对象物的内部来照射激光，从而沿着加工对象物的切割预定线，在加工对象物的内部形成多列成为切割的起点的改质区域的方法(例如，参照日本开2004-343008号公报)。

发明内容

但是，如上所述的激光加工方法，例如由于加工对象物的厚度和劈开性等，有可能不能将加工对象物精度良好地切割。

于是，本发明的课题是，提供能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割的激光加工方法以及通过使用这样的激光加工方法而得到的芯片。

为了达到上述课题，本发明的激光加工方法，其特征在于，通过将聚焦点对准板状的加工对象物的内部照射激光，从而沿着加工对象物的切割预定线，在加工对象物的内部形成成为切割的起点的改质区域，该激光加工方法包括：沿着切割预定线形成在加工对象物的厚度方向排列的第1改质区域和第2改质区域的工序；沿着切割预定线形成位于第1改质区域与第2改质区域之间的第3改质区域的工序。

在这里，优选在形成第1改质区域和第2改质区域的工序中，沿着切割预定线形成第1改质区域，在形成第1改质区域之后，沿着切割预定线形成位于第1改质区域与在加工对象物中激光入射的激光入射面之间的第2改质区域。这样，通过沿着切割预定线，在加工对象物的内部形成第1改质区域，形成位于第1改质区域与激光入射面之间的第2改质区域，形成位于第1改质区域与第2改质区域之间的第3改质区域，其与按顺序在加工对象物的内部形成第1改质区域、第3改质区域、第2改质区域的情况(即，从激光入射面的相反侧起至激光入射面侧依次形成改质区域的情况)相比，在切割加工对象物时，能够防止切割面的激光入射面侧的端部从切割预定线大幅度地脱离。其理由是因为，例如，在加工对象物具有在平行于其厚度方向且相对于包括切割预定线的面倾斜的方向上的解理面的情况下，如果按该顺序在加工对象物的内部形成第1改质区域、第3改质区域、第2改质区域，则在形成第2改质区域时，割裂从已经形成的第3改质区域向沿着解理面的方向大幅度延伸，该割裂会从切割预定线大幅度脱离而到达至激光入射面。

此外，优选在形成第3改质区域之后，沿着切割预定线，形成位于第2改质区域和第3改质区域之间的第4改质区域。

由此，与按照如下顺序在加工对象物的内部形成第1改质区域、第2改质区域、第4改质区域、第3改质区域的情况相比，在切割加工对象物时，可以防止切割面成凸凹状。其理由是因为：如果按照该顺序在加工对象物的内部形成第1改质区域、第2改质区域、第4改质区域、第3改质区域，则在形成第3改质区域时，由于存在于第3改质区域与激光入射面之间的第4改质区域引起激光的散射或吸收等，从而不能很好地形成第3改质区域，因此，会产生不形成龟裂本身，或者从第3改质区域延伸的割裂与从相邻于该第3改质区域的改质区域延伸的割裂不连结等的情况。

此外，有加工对象物具备半导体基板，改质区域包括熔融处理区域的情况。

此外，优选包括：以改质区域作为切割的起点，沿着切割预定线切割加工对象物的工序。由此，可以沿着切割预定线精度良好地切割加工对象物。

此外，优选在形成第3改质区域的工序中，至少产生跨过第1改质区域与第2改质区域之间的割裂。此时，通过形成在加工对象物的厚度方向上排列的第1改质区域和第2改质区域，在加工对象物中的第1改质区域和第2改质区域之间的部分，向切割预定线的两侧产生拉伸应力。因此，若形成位于第1改质区域和第2改质区域之间的第3改质区域，则可以以该第3改质区域为开端产生至少跨过第1改质区域和第2改质区域之间的割裂。因此，例如，如果在加工对象物的一个面附近形成第1改质区域、且在加工对象物的另一个面附近形成第2改质区域，则即使在加工对象物的厚度比较厚时，也可以在不增加相对于1条切割预定线应形成的改质区域的列数的情况下，能够在加工对象物中的在沿着切割预定线的部分的大致全体上形成割裂。如上所述，即使在板状的加工对象物的厚度比较厚的情况下，若利用该激光加工方法，也可以缩短在加工对象物上形成改质区域的时间，而且，根据该激光加工方法可以进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。