[发明专利]带阻滤波器无效

专利信息
申请号: 201210027080.0 申请日: 2012-02-08
公开(公告)号: CN102637925A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 冈田贵浩;塚本秀树;多田齐 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P1/203
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种带阻滤波器(BEF),包括同轴电介质谐振器块、衬底以及第一、第二和第三电感元件。同轴电介质谐振器块包括内导体和外导体,并且形成共轴电介质谐振器。第一电感元件设置在经由串联谐振电容器与同轴电介质谐振器之一相连的信号传输路径和经由串联谐振电容器与另一个同轴电介质谐振器相连的信号传输路径之间。第二电感元件设置在第一电感元件的一端和地之间,以及第三电感元件设置在第一电感元件的另一端和地之间。
搜索关键词: 带阻滤波器
【主权项】:
一种带阻滤波器,包括:同轴电介质谐振器块,所述同轴电介质谐振器块包括:块本体,所述块本体形成为主要由电介质构成的实质上矩形平行六面体的形状,并且具有从块前表面延伸至块后表面的第一和第二通孔;第一和第二内导体,所述第一和第二内导体各自形成于第一和第二通孔的内表面上;以及外导体,形成于除了至少所述块前表面之外的块外表面上;衬底,所述衬底包括:具有上表面的衬底本体,在所述衬底本体的上表面上安装同轴电介质谐振器块;接地电极,形成于所述衬底本体的上表面上并且与外导体相连;第一信号传输路径,形成于所述衬底本体的上表面上并且经由第一串联谐振电容器与第一内导体相连;以及第二信号传输路径,形成于所述衬底本体的上表面上并且经由第二串联谐振电容器与第二内导体相连;第一电感元件,设置在第一信号传输路径和第二信号传输路径之间;第二电感元件,设置在第一信号传输路径和接地电极之间;以及第三电感元件,设置在第二信号传输路径和接地电极之间。
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