[发明专利]带阻滤波器

说明书

技术领域

本发明涉及一种带阻滤波器(band-elimination filter)。

背景技术

已经采用了使用同轴电介质谐振器的带阻滤波器(例如参见日本待审专利申请公开No.07-336109)。

图1A是示出了现有技术中的BEF的示例性模块配置的分解透视图。

BEF 101包括同轴电介质谐振器块102、多层衬底103、电感元件104和盖105。

同轴电介质谐振器块102包括块本体102A、内导体102B、外导体102C和端接电极102D，并且形成两个同轴电介质谐振器R1和R2。块本体102A形成为由电介质材料构成的实质上矩形平行六面体的形状，并且包括从块前表面延伸至块后表面的两个通孔。内导体102B各自形成于通孔的内表面上。外导体102C形成于除了块前表面之外的块外表面上。端接电极102D形成于块底面上，使得端接电极与外导体102C间隔开，并且各自面对内导体102B的开口端附近。

多层衬底103包括衬底本体103A、接地电极103B、谐振器连接电极103C、信号传输路径103D和103E以及内部配线(未示出)。在衬底本体103A上，安装了同轴电介质谐振器块102、电感元件104和盖105。接地电极103B形成于衬底本体103A的上表面上，并且与同轴电介质谐振器块102的外导体102C相连。谐振器连接电极103C形成于衬底本体103A的上表面上，并且各自与同轴电介质谐振器块102的端接电极102D相连。信号传输路径103D和103E形成于衬底本体103A的上表面上，使得它们的远端部分之间具有间隔，并且各自经由内部配线与谐振器连接电极103C相连。

电感元件104设置在信号传输路径103D和103E的远端部分之间。设置盖105，使得形成暴露同轴电介质谐振器块102的块前表面和电感元件104的空间，并且在块前表面上的外导体102C和接地电极103B之间进行短路。

图1B是BEF 101的等效电路图。

BEF 101包括串联连接在输入端子IN和输出端子OUT之间的电感器L。输入端子IN设置在信号传输路径103D的近端一侧上，输出端子OUT设置在信号传输路径103E的近端一侧。电感器L由电感元件104构成。输入端子IN和电感器L之间的连接点经由电容器C3接地，并且还经由包括电容器Ce1和同轴电介质谐振器R1的串联电路接地。输出端子OUT和电感器L之间的连接点经由电容器C4接地，并且还经由包括电容器Ce2和同轴电介质谐振器R2的串联电路接地。将电容器Ce1和Ce2设置在内导体102B之一和端接电极102D之一之间，并且设置在另一个内导体102B和另一个端接电极102D之间。电容器C3和C4与内部配线(未示出)处的杂散(stray)电容相对应。电容器C3和C4以及电感器L用作相移电路，同轴电介质谐振器R1和电容器Ce1用作串联谐振电路，以及同轴电介质R2和电容器Ce2用作串联谐振电路。

发明内容

根据同轴电介质谐振器块102的结构来确定同轴电介质谐振器R1和R2的值以及电容器Ce1和Ce2的值，并且根据多层衬底103的结构来确定电容器C3和C4的值。因此，为了调节滤波器特性，需要代替电感元件104，或者改变同轴电介质谐振器块102或多层结构103的结构。因此，难以精密地设置滤波器特性。具体地，难以改进低于信号切断带(signal removal band)的通带中的特性，并且在低频通带中增加了反射度和通带损耗。

本发明的目的是提供一种可以精密地设置滤波器特性的带阻滤波器。

根据本发明实施例的带阻滤波器包括同轴电介质谐振器块、衬底以及第一、第二和第三电感元件。同轴电介质谐振器块包括：块本体，所述块本体形成为主要由电介质构成的实质上矩形平行六面体的形状，并且具有从块前表面延伸至块后表面的第一和第二通孔；第一和第二内导体，所述第一和第二内导体各自形成于第一和第二通孔的内表面上；以及外导体，形成于除了至少块前表面之外的块外表面上。所述衬底包括：具有上表面的衬底本体，在所述上表面上安装同轴电介质谐振器块；接地电极，形成于所述衬底本体的上表面上，并且与外导体相连；第一信号传输路径，形成于所述衬底本体的上表面上并且经由第一串联谐振电容器与第一内导体相连；以及第二信号传输路径，形成于所述衬底本体的上表面上并且经由第二串联谐振电容器与第二内导体相连。第一电感元件设置在第一信号传输路径和第二信号传输路径之间。第二电感元件设置在第一信号传输路径和接地电极之间。第三电感元件设置在第二信号传输路径和接地电极之间。