[发明专利]晶体管的操作方法无效
| 申请号： | 201210025729.5 | 申请日： | 2012-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103187302A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;陈德智;简富彦;谢天宇 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体管的操作方法，其适用于晶体管，晶体管包含第一栅极、第一栅极绝缘层、半导体层、源极、漏极、第二栅极绝缘层以及第二栅极，晶体管的操作方法包含：可将第一栅极与源极接地，施加负偏压至第二栅极并施加正偏压至漏极，以使晶体管作为光检测器；另一方面，可将源极接地，第二栅极接地或浮接(floating)，施加偏压至第一栅极并施加正偏压至漏极，以使晶体管作为像素晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 操作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的操作方法，适用于一晶体管，该晶体管包含第一栅极、第一栅极绝缘层、半导体层、源极、漏极、第二栅极绝缘层以及第二栅极，其中该第一栅极绝缘层位于该第一栅极上，该半导体层位于该第一栅极绝缘层上，该源极与该漏极相互分离地位于该半导体层的两侧上，该第二栅极绝缘层位于该半导体层上，该第二栅极位于该第二栅极绝缘层上，该晶体管的操作方法，包含：将该第一栅极与该源极接地；以及施加负偏压至该第二栅极并施加正偏压至该漏极，以使该晶体管作为一光检测器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
