[发明专利]非挥发CMOS兼容逻辑电路与相关操作方法有效
| 申请号： | 201210024995.6 | 申请日： | 2012-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN102629868A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 陈安;Z·克里沃卡皮齐 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H03K19/18 | 分类号： | H03K19/18 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非挥发CMOS兼容逻辑电路与相关操作方法。本申请案提供用于包含铁磁组件的逻辑电路的设备与相关制造及操作方法。逻辑电路的范例包含具有第一铁磁层的第一铁磁组件，具有第二铁磁层的第二铁磁组件，以及耦合至所述第一铁磁组件的晶体管。所述第一晶体管使得电流流经所述第一铁磁组件。所述电流影响所述第一铁磁层的所述磁化作用方向，而后影响所述第二铁磁层的所述磁化作用方向。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发 cmos 兼容 逻辑电路 相关 操作方法 | ||
【主权项】：
一种逻辑电路，包括：第一铁磁组件，具有第一铁磁层；第二铁磁组件，具有第二铁磁层；以及第一晶体管耦合至所述第一铁磁组件，其中所述第一晶体管用于使得第一电流流经所述第一铁磁组件，所述第一电流影响所述第一铁磁层的磁化作用方向，所述第一铁磁层的所述磁化作用方向影响所述第二铁磁层的磁化作用方向。
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