[发明专利]复合式绝缘层及其制造方法无效
| 申请号： | 201210022539.8 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN103182809A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 郑全利;柳朝纶;许枝峰 | 申请（专利权）人： | 晟铭电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/08 | 分类号： | B32B15/08;B32B18/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种复合式绝缘层及其制造方法。本发明的复合式绝缘层包括插槽基体、设置在插槽基体上的衔接层、设置在衔接层上的导电金属层、设置在导电金属层上的绝缘金属层、设置在绝缘金属层上的绝缘陶瓷层、以及设置在绝缘陶瓷层上的电着绝缘层。本发明的复合式绝缘层可避免自CPU的针脚所产生的电磁波干扰，以及提高中央处理器的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 绝缘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种复合式绝缘层，其包括：一插槽基体；一衔接层，设置于该插槽基体之上；一导电金属层，设置于该衔接层上；以及一电着绝缘层，设置于该导电金属层上。
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