[发明专利]一种双层膜修饰的锑金属pH电极制备方法有效
| 申请号： | 201210022471.3 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102565164A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李萍萍;盛庆元;张西良;赵丽娟;胡永光;刘志刚 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | G01N27/333 | 分类号： | G01N27/333 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双层膜修饰的锑金属pH电极制备方法，将一根铜导线的两端均裸露后同轴空套入毛细玻璃管中，铜导线首端与毛细玻璃管首端端口平齐且裸露长度有2～4mm；将熔融的锑金属吸入毛细玻璃管首端中，吸入高度有5～7mm；用浓度为20%氢氟酸溶解毛细玻璃管首端部分，使锑金属露出2～4mm；将露出的锑电极垂直插进熔融的过氧化钠中，在表面形成三氧化锑薄膜；用锑电极蘸取浓度为5～10%的全氟磺酸树脂溶液，在三氧化锑薄膜表面形成氢离子选择性半透镀膜；将聚四氟乙烯乳液从毛细玻璃管末端注入毛细玻璃管和铜导线之间的空隙，凝固后制得双层膜修饰的锑金属pH电极；电性能优异，有较高的机械强度和韧性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双层 修饰 金属 ph 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双层膜修饰的锑金属pH电极制备方法，其特征是采用如下步骤：（1）加热纯锑粉至650℃，制得熔融的锑金属；（2）将一根铜导线的两端均裸露后同轴空套入毛细玻璃管中，使铜导线末端伸出毛细玻璃管末端之外、铜导线首端与毛细玻璃管首端端口平齐且铜导线首端的裸露长度有2～4mm；（3）将所述熔融的锑金属吸入毛细玻璃管首端中，吸入高度为5～7mm；（4）用浓度为20%氢氟酸溶解毛细玻璃管首端部分，使锑金属露出2～4mm锑电极；（5）对露出的锑电极清洗后烘干，垂直插进熔融的过氧化钠中5～7分钟，锑电极的表面形成三氧化锑薄膜；冷却至室温，清洗后烘干；（6）用锑电极蘸取浓度为5～10%的全氟磺酸树脂溶液，取出后倒置，在三氧化锑薄膜表面形成氢离子选择性半透镀膜，在70～80℃真空烘箱中烘干；（7）将聚四氟乙烯乳液从毛细玻璃管末端注入毛细玻璃管和铜导线之间的空隙，凝固后制得双层膜修饰的锑金属pH电极。
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