[发明专利]刺状Sb2Se3 半导体储氢材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210019404.6 | 申请日： | 2012-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102583271A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;闫春爽;金仁成;邓明达;孙帅;邹贤 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 刺状Sb2Se3半导体储氢材料及其制备方法，本发明涉及一种半导体储氢材料及其制备方法。本发明是要解决现有的碳纳米管电化学储氢材料对设备要求严格、能耗量大且产物需要纯化的技术问题。刺状Sb2Se3半导体储氢材料由K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和水合肼用溶剂热合成法制成。方法：将K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和水合肼并混合后，进行水热反应，再过滤、洗涤、干燥即得。该材料比表面积4.3～4.5m2.g-1，放电容量203.3～210mA·h·g-1，纯度99％～100％，可用作电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 刺状 sb sub se 半导体 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
刺状Sb2Se3半导体储氢材料，其特征在于刺状Sb2Se3半导体储氢材料是由K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和质量百分含量为85％的水合肼采用溶剂热合成法制成的刺状的Sb2Se3；其中K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与Na2SeO3的摩尔比为2∶2.9～3.1，K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与表面活性剂的质量比为1∶0.5～11，K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与乙二醇的质量体积比为1g∶145～150mL，K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与水的质量体积比为1g∶70～75mL，K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与质量百分含量为85％的水合肼的质量体积比为1g∶10～15mL。
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