[发明专利]刺状Sb2Se3 半导体储氢材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201210019404.6 | 申请日： | 2012-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102583271A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;闫春爽;金仁成;邓明达;孙帅;邹贤 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刺状 sb sub se 半导体 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体储氢材料及其制备方法。
背景技术
当前，能源和环境问题是世界范围内面临的两大难题，煤、石油、天然气等传统能源面临日益减少的枯竭之势，而同时使用这些能源带来的环境问题也日趋严重。因此开发无污染、可再生能源势在必行。氢能作为唯一无污染可再生的能源，无疑是继石油、煤和天然气等非再生能源以后新一代被广泛采用的能源。阻碍氢能的大规模使用的关键问题是氢能的储存和运输。目前，液氢储存的成本高、安全性较差，金属氢化物储氢时得到的储氢量有限，储氢质量密度太低。限制了其应用范围。
为了开发高效的储氢材料，众多国家和研究者进行着不懈的努力。1991年，日本NEC公司的电镜专家在制备C60时偶然发现了碳纳米管，由于其具有较低的密度和较高的比表面积等特点引起了研究者的广泛关注。1992年，Hamada N.发现这种材料具有优异的电化学储氢性能从而掀起了碳纳米管储氢研究的热潮，且取得了重要的进展。目前制备碳纳米管方法很多，如：电弧法，激光蒸发法和气相沉积法等，但这些方法对设备要求严格，能耗量较大，且产物需要纯化。诸多缺点也阻碍了其实用化的进程。因此寻求新型高效、制备方法简单的储氢材料将是储氢发展走向实用化的必然趋势。
发明内容
发明是要解决现有的碳纳米管电化学储氢材料对设备要求严格、能耗量较大且产物需要纯化的技术问题，而提供刺状Sb2Se3半导体储氢材料及其制备方法。
本发明的刺状Sb2Se3半导体储氢材料是由K(SbO)C4H4O6·0.5H2O、Na2SeO3、表面活性剂、乙二醇、水和质量百分含量为85％的水合肼采用溶剂热合成法制成的刺状的Sb2Se3；其中K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与Na2SeO3的摩尔比为2∶2.9～3.1，K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与表面活性剂的质量比为1∶0.5～11，K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与乙二醇的质量体积比为1g∶145～150mL，K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与水的质量体积比为1g∶70～75mL，K(SbO)C4H4O6·0.5H2O与质量百分含量为85％的水合肼的质量体积比为1g∶10～15mL。
其中的表面活性剂为柠檬酸或葡萄糖；
本发明的刺状Sb2Se3半导体储氢材料的制备方法按以下步骤进行：
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210019404.6/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多层盘式垂直轴磁悬浮风力发电机
- 下一篇：通用变频器整体结构
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
