[发明专利]一种乙二胺插层氯氧化铁的插层化合物的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210008230.3 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN102544513A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 李强;郭军;郇昌天;李彩霞;张琳 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: H01M4/62 分类号: H01M4/62;H01M4/52
代理公司: 上海蓝迪专利事务所 31215 代理人: 徐筱梅;张翔
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种乙二胺插层氯氧化铁的制备方法,其特点是以氯氧化铁为主体、乙二胺为客体,经反应将乙二胺分子插入到氯氧化铁的层间,制得乙二胺插层氯氧化铁的化合物。本发明简单、高效、能耗低,成本低廉,安全,成功的扩大了氯氧化铁的层间距,更有利于其他分子或离子进入到主体的层间,并且选用极性溶剂,用超声的方法可以使主体层剥离形成像石墨烯一样的单片结构,使氯氧化铁的主体层变为纳米片,产生一些量子效应,纳米片还可以自主装形成复合材料。
搜索关键词: 一种 乙二胺插层氯 氧化铁 化合物 制备 方法
【主权项】:
一种乙二胺插层氯氧化铁的制备方法,其特征在于以氯氧化铁为主体,以乙二胺为客体,经过化学反应将乙二胺插入到氯氧化铁的层间,得到乙二胺插层氯氧化铁,具体步骤如下:a 、在反应容器中倒入无水乙醇,然后加入无水乙二胺,混合均匀,配成0.23~0.42mol/L的乙二胺乙醇溶液;b、将氯氧化铁放入步骤a配制好的溶液中,加入磁转子,将反应容器密闭,然后将反应容器放到油浴中,调节温度为60~90℃,加热、搅拌,时间为24h~4d;其中:氯氧化铁与乙二胺的摩尔比为1:8;c、反应结束后,减压抽虑得到固体物,然后用无水乙醇洗涤数次,固体物放入烘箱中60℃干燥,得到乙二胺插层氯氧化铁。
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