[发明专利]一种超高频RFID蚀刻天线及其制造工艺无效
申请号: | 201210007963.5 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102938499A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 李金华 | 申请(专利权)人: | 厦门英诺尔电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;G03F7/00;G06K19/077 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
地址: | 361000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开一种超高频RFID蚀刻天线及其制造工艺,属于物联网RFID领域,蚀刻天线包括承载基材、胶层及蚀刻层,胶层位于承载基材与蚀刻层之间,该蚀刻层为铝箔或铜箔经蚀刻工艺而成型。制造工艺包括如下步骤:①选择铝箔或铜箔,并在其上涂布胶层后与承载基材进行复合,而形成复合基材;②在复合基材的铝箔或铜箔上面形成感光型复合材料;③将需要蚀刻的天线图形制成菲林底片,采用曝光方法,将导线部线路转移至感光型复合材料上面;④将曝光好并贴有感光型复合材料的复合基材进行显影、蚀刻和剥膜,如此形成蚀刻精度公差在±0.02mm和/或端点最小间距≤0.12mm蚀刻天线。本发明与现有技术相比,其线路精度大大提高,进而提高了整个蚀刻天线的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 超高频 rfid 蚀刻 天线 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种超高频RFID蚀刻天线,其特征在于,包括承载基材、胶层以及蚀刻层,该胶层位于承载基材与蚀刻层之间,该蚀刻层为铝箔或铜箔经蚀刻工艺而成型,该蚀刻层上线路的蚀刻精度公差在±0.02mm和/或线路端点最小间距≤0.12mm。
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