[发明专利]一种抗温度老化的低电阻率热释电陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201210005866.2 | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102515757A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 姚春华;郭少波;董显林;王根水;曹菲;陈建和 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/491;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种抗温度老化的低电阻率热释电陶瓷材料及其制备方法，在此提供的热释电陶瓷材料，其主要化学组成为Pb1+δ(Sb2/3Mn1/3)y(ZrxTi1-x)1-yO3+wat%A，且式中：A选自Mn和Cr中的至少一个；δ=-0.05～0.05，w=0～10（优选0～2），x=0.75～0.90，y=0.01～0.25。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 老化 电阻率 热释电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种热释电陶瓷材料，其特征在于，所述热释电陶瓷材料主要化学组成为Pb1+δ(Sb2/3Mn1/3)y(ZrxTi1‑x)1‑yO3+ w at% A，且式中：A选自Mn和Cr中的至少一个；δ=‑0.05～0.05，w=0～10，x=0.75～0.90， y=0.01～0.25。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210005866.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
