[发明专利]一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法无效
| 申请号： | 201210002302.3 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102534703A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 范爱玲;黄浪;张姗 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C25D3/38 | 分类号： | C25D3/38;C25D5/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法属于金属材料制备技术领域。本发明在电沉积过程中采用脉冲电源，通电阶段电流密度为：20～28A/dm2，正占空比12％～25％，将阳极、阴极平行插入电解液中，阳极为纯铜，阴极为不锈钢；电解液的成分为硫酸铜：460～510克/升，添加剂成分为糖精：62～70克/升。在沉积过程中搅拌，搅拌速度为：60～80转/分；在50℃～58℃恒温下进行，沉积时间在30分钟～2小时，并且在电沉积过程中补充硫酸铜溶液。本发明获得了纳米/微米晶复合结构材料，解决材料强度提高而塑性降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 微米 复合 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制备纳米/微米晶复合结构纯铜的方法；其特征在于：采用脉冲电源，通电阶段电流密度为：20～28A/dm2，正占空比为：12％～25％，将阳极、阴极平行插入电解液中，阳极为纯铜，阴极为不锈钢；电解液的成分为硫酸铜：460～510克/升，添加剂成分为糖精：62～70克/升；电沉积在50℃～58℃恒温下进行，沉积时间在30分钟～2小时，并且在沉积过程中补充硫酸铜溶液。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210002302.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳酸酯的连续制备
- 下一篇：采用转印法形成树脂膜的方法
