[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201210000096.2 | 申请日： | 2012-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN103187451B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 管炜 | 申请（专利权）人： | 管炜 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)11357 | 代理人： | 魏忠晖 |
| 地址： | 321105 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括基板，设置在基板上的栅极，覆盖所述栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的活性层，活性层包括沟道层，源极和漏极。源极和漏极分别设置在沟道层的相对两侧并与其对应的源极电极和漏极电极电连接。沟道层的表面依次设置有第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层。第二蚀刻阻挡层中部形成有凹槽以暴露第一蚀刻阻挡层。所述凹槽将第二蚀刻阻挡层分成第一区域和第二区域。所述源极电极从源极的表面延伸至覆盖第一区域，所述漏极电极从漏极的表面延伸至覆盖第二区域。上述结构可有效防止源极电极或漏极电极的金属原子发生扩散或电子迁移而对沟道层的导电性能造成影响，提高了其可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括基板，设置在基板上的栅极，覆盖所述栅极的栅绝缘层以及覆盖在栅绝缘层表面的沟道层，源极和漏极分别设置在沟道层的相对两侧并与源极电极和漏极电极电连接，其特征在于，沟道层的表面依次设置有第一蚀刻阻挡层和第二蚀刻阻挡层，第二蚀刻阻挡层中部形成有凹槽以暴露第一蚀刻阻挡层，所述凹槽将第二蚀刻阻挡层分成第一区域和第二区域，所述源极电极从源极的表面延伸至覆盖第一区域，所述漏极电极从漏极的表面延伸至覆盖第二区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于管炜，未经管炜许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210000096.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
