[发明专利]全背接触太阳能电池和制造方法在审
| 申请号： | 201180073965.8 | 申请日： | 2011-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN103858239A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·穆勒;阿明·杰哈德·阿伯利 | 申请（专利权）人： | 天合光能发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0256;H01L31/068 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 披露了一种制造全背接触(ABC)太阳能电池的方法。第一极性的掺杂层(102)被形成在晶片(100)的后侧上。第一掩模结构(106、110)被形成在第一极性的掺杂层上。第一掩模结构(106、110)的各个部分是使用第一激光烧蚀工艺去除的。第二极性的掺杂区(118、135、137)被形成在已将第一掩模结构去除的区域内。接触条(134、136)通过丝网印刷和焙烧形成，以使每个接触条与掺杂区(135、137)中的一个接触。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造全背接触(ABC)太阳能电池的方法，包括：在晶片的后侧上形成第一极性的掺杂层；在所述第一极性的掺杂层上形成第一掩模结构；使用第一激光烧蚀工艺去除所述第一掩模结构的各个部分；在已将所述第一掩模结构去除的区域内形成第二极性的掺杂区；以及通过丝网印刷和焙烧形成接触条，以使每个接触条与所述掺杂区中的一个接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
