[发明专利]使用石墨烯的用于化学传感的场效应晶体管、使用晶体管的化学传感器和制造晶体管的方法有效
| 申请号： | 201180072103.3 | 申请日： | 2011-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN103649739A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | M·安德森;拉斯·哈尔特曼;阿尼塔·劳埃德斯佩兹;鲁思·皮尔斯;罗西察·雅基莫娃 | 申请（专利权）人： | 森西克有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 用于化学传感的场效应晶体管(20)，包括漏极(5)和源极(6)间延伸的导电和化学敏感沟道(2)。栅极(7)被缝隙(10)从沟道(2)分隔，待传感的化学物能经其到达沟道(2)，沟道包括布置在电绝缘的石墨烯层衬底(1)上的连续单晶石墨烯层(2a)。石墨烯层(2a)在源极(5)和漏极(6)之间延伸并电连接于源极和漏极。衬底支撑石墨烯层，允许其保持为2维且连续，使其能设置在明确界定表面上，且作为分离的部分生产且添加到晶体管。这对再现性有益且减少在生产期间和之后对石墨烯层损伤的风险。也使能了在单个晶体管之间具有低变化性的低探测极限。还提供了使用晶体管(20)的化学传感器(30)和用于提供晶体管(20)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 石墨 用于 化学 传感 场效应 晶体管 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于化学传感的场效应晶体管（20），包括栅电极（7）、漏电极（6）、源电极（5）和在所述漏电极（6）和所述源电极（5）之间延伸并且被电连接于所述漏电极（6）和所述源电极（5）的导电的并且化学敏感的沟道（2），所述栅电极（7）被布置在距所述化学敏感的沟道（2）一距离处并且与所述化学敏感的沟道（2）相对，使得所述栅电极（7）和所述化学敏感的导电沟道（2）被缝隙（10）分隔，待被传感的化学物质经过所述缝隙（10）可被引入以到达所述化学敏感的沟道（2），其中所述化学敏感的沟道（2）包括被布置在电绝缘的石墨烯层衬底（1）上的连续的单晶石墨烯层（2a），所述石墨烯层（2a）在所述源电极（5）和所述漏电极（6）之间延伸并且被电连接于所述源电极（5）和所述漏电极（6）。
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