[发明专利]用于太阳能电池的CdZnO或SnZnO缓冲层无效
| 申请号： | 201180055881.1 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103250257A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李青浩;赵志波;本雅明·布勒;邵锐 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/073 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王兆赓;戴嵩玮 |
| 地址： | 美国俄亥俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种在光伏装置中使用的结构，所述结构包括基板、缓冲材料、与基板接触的阻挡材料以及位于缓冲材料和阻挡材料之间的透明导电氧化物。缓冲材料包括CdZnO和SnZnO中的至少一种。可以在光伏装置中包括所述结构。还公开了形成所述结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳能电池 cdzno snzno 缓冲 | ||
【主权项】：
一种在光伏装置中使用的结构，所述结构包括：基板；缓冲材料，其中，缓冲材料包括CdZnO和SnZnO中的至少一种；阻挡材料，与基板接触；以及透明导电氧化物，位于缓冲材料和阻挡材料之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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