[发明专利]通过基底和外延层图案化限制在III-氮化物异质结构中的应变松弛无效
| 申请号： | 201180051842.4 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103190041A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | J·S·斯派克;A·泰亚吉;S·P·德恩巴阿斯;S·纳卡姆拉 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 制造半极性III-氮化物装置的基底的方法，包括图案化半极性III-氮化物基底或外延层的表面并在其上形成一个或多个台面，由此形成包括各台面的半极性III-氮化物基底或外延层的图案表面，各台面沿着穿透位错滑移的方向具有尺寸l，其中穿透位错滑移由基底或外延层的非图案表面上异质外延地和共格地沉积的III-氮化物层产生。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 基底 外延 图案 限制 iii 氮化物 结构 中的 应变 松弛 | ||
【主权项】：
半极性或非极性III‑氮化物装置，其包括：半极性或非极性III‑氮化物基底或外延层，其具有106cm‑2或更大的穿透位错密度；和异质结构，其包括半极性或非极性III‑氮化物装置层，生长在半极性或非极性III‑氮化物基底或外延层上，其中所述异质结构的失配位错密度为104cm‑2或更小。
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