[发明专利]用于薄膜太阳能电池的扩散阻挡层

摘要

本发明提供了一种制造诸如CuZnSn(S,Se)（CZTSSe）之类的太阳能电池的方法，包括以下步骤。利用钼（Mo）层来涂覆基板。将应力消减层沉积在Mo层上。利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层。将吸收层构成成分沉积在扩散阻挡层上，其中，该构成成分包括硫（S）和硒（Se）中的一种或多种。对该构成成分进行退火，以形成吸收层，其中，所述应力消减层消减对所述吸收层施加的热应力，并且其中，所述扩散阻挡层阻止S和Se中的一种或多种扩散至Mo层中。在所述吸收层上形成缓冲层。在所述缓冲层上形成透明导电电极。

主权项

一种制造太阳能电池的方法，包括以下步骤：提供基板；利用钼层来涂覆所述基板；将应力消减层沉积在所述钼层上；利用扩散阻挡层来涂覆所述应力消减层；将吸收层构成成分沉积在所述扩散阻挡层上，其中，所述构成成分包括硫和硒中的一种或多种；对所述构成成分进行退火，以在所述扩散阻挡层上形成吸收层，其中，所述应力消减层消减由所述退火步骤在所述吸收层上施加的热应力，并且其中，所述扩散阻挡层在所述退火步骤期间阻止硫和硒中的一种或多种扩散至所述钼层中；在所述吸收层上形成缓冲层；以及在所述缓冲层上形成透明导电电极。