[发明专利]薄膜太阳能电池的Kesterite层制造无效
申请号: | 201180051092.0 | 申请日: | 2011-10-19 |
公开(公告)号: | CN103180969A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 王克嘉;G·苏普拉提克 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 贺月娇;于静 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在衬底上真空沉积Kesterite膜并对其进行退火。沉积在低温下进行以提供良好的组分控制和有效的金属使用。在高温下进行短时长的退火。可采用在高真空环境中热蒸发、电子束蒸发或溅射作为沉积方法的一部分。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 kesterite 制造 | ||
【主权项】:
一种方法,包括:提供衬底;将所述衬底置于高真空环境;在将所述衬底的温度保持在足够低的范围内以使得沉积于所述衬底上的材料的再蒸发不显著的同时,通过热蒸发将硫和硒中的至少一种以及铜、锌、锡沉积在所述衬底的表面上,从而形成适合太阳能电池应用的吸收层;以及在显著高于所述沉积步骤期间保持的温度的第二温度下,对所述衬底上沉积的所述吸收层进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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