[发明专利]用于硅电极的适配环无效
| 申请号： | 201180046144.5 | 申请日： | 2011-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN103125011A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | T·帕德 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 秘凤华;马江立 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于改进晶片蚀刻系统的方法和系统。该方法和系统使用适配环（120）来改进设计为与多件式电极一起使用的晶片蚀刻系统，使得在该蚀刻系统中可以使用单件式电极。适配环（120）的一部分设置在晶片蚀刻系统的热联接板（110）中形成的接收器中。适配环的另一部分定位在上部电极（130）中形成的通道中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电极 适配环 | ||
【主权项】：
一种用于改进晶片蚀刻系统的方法，包括：在所述晶片蚀刻系统的部件中形成的接收器中定位适配环，其中，将所述适配环的第一区段的至少一部分定位在所述接收器中，并且所述适配环的第二区段的至少一部分从所述接收器突出；以及在所述系统中定位上部电极，所述上部电极中形成有通道，其中，将所述上部电极定位在所述系统中以使得所述适配环的第二区段的至少一部分定位在所述通道中。
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