[发明专利]应用确定波长的光通量处理衬底的工艺以及相应衬底无效

专利信息
申请号: 201180043392.4 申请日: 2011-09-05
公开(公告)号: CN103201825A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: M·布吕尔 申请(专利权)人: SOITEC公司
主分类号: H01L21/302 分类号: H01L21/302;H01L21/78;H01L21/268
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明尤其涉及一种用确定波长的光通量(IR)来处理衬底的工艺,所述衬底包括嵌入层(3),所述嵌入层(3)具有吸收性,也即,所述嵌入层(3)独立于温度吸收所述光通量,所述嵌入层插入于第一层(2),所述处理层,和第二层(4)之间,第一半导体层(2)具有光通量的吸收系数,所述吸收系数在环境温度中较低并且随着温度的升高而增加,根据所述工艺,通过所述光通量(IR)的至少一个脉冲来照射所述第一层(2)。该工艺尤其值得注意的是-所述光通量(IR)被施加到第一层(2)的表面的几处地方,以便加热嵌入层(3)的区域,并且在所述第一层(2)中,通过相对于所述嵌入层(3)的被加热区域的热前缘的传播而生成被加热区带,所述被加热区带形成热支柱(P),所述热支柱(P)通过嵌入层(3)膨胀并且在第二层(4)之内生成约束。
搜索关键词: 应用 确定 波长 光通量 处理 衬底 工艺 以及 相应
【主权项】:
一种用确定波长的光通量(IR)来处理衬底(1)的工艺,所述衬底(1)包括嵌入层(3),所述嵌入层(3)具有吸收性,也即,所述嵌入层(3)能独立于温度吸收所述光通量,所述嵌入层插入于第一层(2),所述处理层,和第二层(4)之间,第一半导体层(2)具有光通量的吸收系数,所述吸收系数在环境温度中较低并且随着温度的升高而增加,根据所述工艺,其中在所述嵌入层(3)的方向上,通过所述光通量(IR)的至少一个脉冲来照射所述第一层(2),其特征在于‑所述光通量(IR)被施加在所述第一层(2)的表面的几处地方,以便加热所述嵌入层(3)的区域,并且在所述第一层(2)中,通过相对于所述嵌入层(3)的被加热区域的热前缘的传播而生成被加热区带,所述被加热区带形成热支柱(P),所述热支柱(P)通过所述嵌入层(3)膨胀并且在所述第二层(4)之内生成约束,以及在于‑进行照射以产生足够的约束,以便在所述第二层(4)中,在所述第二层(4)与所述嵌入层(3)的接触面(I)的附近开始初期断裂,至少产生使得该区域脆化的结构性缺陷。
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