[发明专利]应用确定波长的光通量处理衬底的工艺以及相应衬底无效
申请号: | 201180043392.4 | 申请日: | 2011-09-05 |
公开(公告)号: | CN103201825A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | M·布吕尔 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/78;H01L21/268 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明尤其涉及一种用确定波长的光通量(IR)来处理衬底的工艺,所述衬底包括嵌入层(3),所述嵌入层(3)具有吸收性,也即,所述嵌入层(3)独立于温度吸收所述光通量,所述嵌入层插入于第一层(2),所述处理层,和第二层(4)之间,第一半导体层(2)具有光通量的吸收系数,所述吸收系数在环境温度中较低并且随着温度的升高而增加,根据所述工艺,通过所述光通量(IR)的至少一个脉冲来照射所述第一层(2)。该工艺尤其值得注意的是-所述光通量(IR)被施加到第一层(2)的表面的几处地方,以便加热嵌入层(3)的区域,并且在所述第一层(2)中,通过相对于所述嵌入层(3)的被加热区域的热前缘的传播而生成被加热区带,所述被加热区带形成热支柱(P),所述热支柱(P)通过嵌入层(3)膨胀并且在第二层(4)之内生成约束。 | ||
搜索关键词: | 应用 确定 波长 光通量 处理 衬底 工艺 以及 相应 | ||
【主权项】:
一种用确定波长的光通量(IR)来处理衬底(1)的工艺,所述衬底(1)包括嵌入层(3),所述嵌入层(3)具有吸收性,也即,所述嵌入层(3)能独立于温度吸收所述光通量,所述嵌入层插入于第一层(2),所述处理层,和第二层(4)之间,第一半导体层(2)具有光通量的吸收系数,所述吸收系数在环境温度中较低并且随着温度的升高而增加,根据所述工艺,其中在所述嵌入层(3)的方向上,通过所述光通量(IR)的至少一个脉冲来照射所述第一层(2),其特征在于‑所述光通量(IR)被施加在所述第一层(2)的表面的几处地方,以便加热所述嵌入层(3)的区域,并且在所述第一层(2)中,通过相对于所述嵌入层(3)的被加热区域的热前缘的传播而生成被加热区带,所述被加热区带形成热支柱(P),所述热支柱(P)通过所述嵌入层(3)膨胀并且在所述第二层(4)之内生成约束,以及在于‑进行照射以产生足够的约束,以便在所述第二层(4)中,在所述第二层(4)与所述嵌入层(3)的接触面(I)的附近开始初期断裂,至少产生使得该区域脆化的结构性缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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