[发明专利]用于产生等离子体的电极、具有该电极的等离子体室和用于原位分析或原位处理层或等离子体的方法有效
申请号: | 201180034905.5 | 申请日: | 2011-07-07 |
公开(公告)号: | CN103109343A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | S.穆特曼;A.戈迪恩;R.卡里尤斯;M.许尔斯贝克;D.哈伦斯基 | 申请(专利权)人: | 于利奇研究中心有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C16/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 杜荔南;朱海煜 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于在等离子体室中产生等离子体的rf电极,其特征在于光学通孔。本发明还涉及一种等离子体室,包括rf电极和具有用于容纳衬底的衬底固定器的反电极,其中在rf电极和反电极之间能够构成用于产生等离子体的高频交变场。该等离子体室的特征在于具有光学通孔的rf电极。本发明还涉及一种用于在等离子体室中对层或等离子体进行原位分析或原位处理的方法,其中该层设置在反电极上并且在朝向层的一侧上设置rf电极。该方法的特征在于选择具有光学通孔的rf电极,并且其特征在于至少一个步骤,在所述步骤中电磁辐射为了对层或等离子体进行分析或处理的目的通过光学通孔引导,并且在于至少一个其它步骤,在所述步骤中所散射或发射或反射的辐射被输送到分析设备。 | ||
搜索关键词: | 用于 产生 等离子体 电极 具有 原位 分析 处理 方法 | ||
【主权项】:
用于在等离子体室中产生等离子体的rf电极,其特征在于至少一个光学通孔。
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